8月26日，2020年世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會（World Semiconductor Conference 2020）在南京國際博覽中心開幕，從展會傳來好消息，鍇威特半導體“C2M120N160-1200VSiC平面功率MOSFET”被評為“第十四屆（2019年度）中國半導體創新產品和技術”獎。

鍇威特“C2M120N160-1200VSiC平面功率MOSFET”獲獎時刻

        C2M120N160是一款1200V SiC平面功率MOSFET，可廣泛應用于新能源汽車、充電樁、數據中心電源、5G電源等工業控制和新能源領域。C2M120N160采用特有的溝道自對準工藝進行加工制造，產品一致性高，性能穩定，產品良率達到了90%以上。

        目前SiCMOSFET僅有歐美和日本幾家公司可以批量供貨，我們通過技術創新，C2M120N160解決了工藝一致性問題，并通過該技術制作出短溝道的SiC MOSFET，Ronsp已經達到國際先進水平，為工業控制和新能源領域提供國內的解決方案。

        據悉，本屆大會是在我國半導體產業發展面臨重大歷史機遇背景下舉辦的一次較高規格的大型專題活動，國際知名半導體企業均有參展。參展企業超過200家，匯聚了IC設計、晶圓制造、封裝檢測、半導體設備與材料等半導體全產業全球頂尖企業。

       在張家港市工信局的統一帶領下，我公司也受邀積極籌備并參與了此次展會，展會布置、產品展示及現場接洽，在張家港市半導體企業的展會區內，成為一抹靚麗的風景線，同時也為此次世界半導體大會增添了更多活力和奪目之處。

        通過參與此次大會，使我司更加深入了解了全球半導體產業的前沿趨勢，對半導體行業內熱點、難點問題也獲得了有效交流和學習，這對我們下一步的戰略規劃和技術發展路線提供了很多新思路和新的意義。