2024年8月25日，中國科學(xué)院院士、微電子學(xué)領(lǐng)域權(quán)威專家郝躍院士蒞臨鍇威特進(jìn)行考察指導(dǎo)。此次訪問不僅體現(xiàn)了郝躍院士對蘇州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關(guān)注，也為鍇威特半導(dǎo)體在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展上提供了新的思路與方向。

郝躍院士作為微電子學(xué)領(lǐng)域的領(lǐng)軍人物，長期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，是國家重大基礎(chǔ)研究(973)計劃項目首席科學(xué)家、國家有突出貢獻(xiàn)的中青年專家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專家。他在碳化硅SiC第三代(寬禁帶)及氧化鎵第四代半導(dǎo)體功能材料和微波米波器件、半導(dǎo)體照明短波長光電材料與器件研究和應(yīng)用、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。

在董事長丁國華先生的陪同下，郝院士實地參觀考察了鍇威特公司展廳、實驗室等重要場所，深入了解了公司最新的發(fā)展情況、公司規(guī)模、研發(fā)能力以及市場應(yīng)用情況。通過丁總的介紹，郝躍院士高度肯定了鍇威特在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域所取得的成就，并對公司的未來發(fā)展寄予厚望。

訪問期間，郝躍院士與董事長丁國華進(jìn)行了深入交流，共同探討了第三代半導(dǎo)體材料特別是SiC(碳化硅)功率器件的技術(shù)發(fā)展、市場應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。盡管SiC功率器件在電力電子、新能源汽車、工業(yè)、高可靠等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力，但其在發(fā)展過程中仍面臨著復(fù)雜的工藝技術(shù)、較高的成本以及封裝技術(shù)的適配等問題。未來，SiC功率器件還需不斷突破技術(shù)瓶頸、降低生產(chǎn)成本以及提升市場接受度。郝院士希望鍇威特繼續(xù)深耕細(xì)作，加強(qiáng)與高校、科研院所及產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作，共同推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用創(chuàng)新。

此次郝躍院士的到訪為鍇威特帶來了新的發(fā)展動力和方向。在第三代半導(dǎo)體的發(fā)展道路上，鍇威特將繼續(xù)秉承創(chuàng)新精神，加大科研投入，不斷突破技術(shù)難題，為推動國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控貢獻(xiàn)自己的力量。同時，也期待與業(yè)界同仁攜手共進(jìn)，共同迎接SiC功率器件更加輝煌的未來。